层析成像图像的像素大小为4.66μm，浩辰绘制电解质内未观察到枝晶或裂纹的明显迹象。

【成果简介】近日，北京中科院大连化学物理研究所刘生忠研究员、北京王开（共同通讯作者）等人报道了一种利用高压气体萃取（HPNE）策略来辅助钙钛矿结晶。因此，校门优化缝模涂层技术的制备过程并进一步提升制备器件的性能对于实现大面积、卷对卷生产是至关重要。

团队简介：浩辰绘制薄膜太阳电池研究组（DNL1606）依托于洁净能源国家实验室（筹）太阳能研究部、浩辰绘制东北先进制造与材料大型仪器中心、大连市柔性光伏工程中心等先进科研平台。（b）对照组、北京[M4N]BF4修饰的PSC以及刀片涂层制备[M4N]BF4层和HTL的钙钛矿器件反扫J-V曲线。而气体处理辅助的缝模涂层制备的PSC的最高PCE仅为15.57％，校门这远低于大规模应用的要求。

图三、浩辰绘制有无[M4N]BF4处理的钙钛矿薄膜的XPS光谱和形貌 （a-b）对照和改性钙钛矿表面的Pb4f和I3d的XPS结果。总之，北京这些研究成果表明，北京利用HPNE策略进行的可控印刷是一种高效率、宽窗口、低成本、面积可缩放的钙钛矿电池制造技术，有助于推动缝模涂层的发展及其在高通量卷到卷薄膜沉积方面的应用。

校门（d）狭缝模头涂层结合HPNE技术制备的钙钛矿薄膜的晶化演变示意图。

此外，浩辰绘制针对薄膜表面存在大量未配位原子的情况，浩辰绘制作者还开发了一种离子液体来钝化钙钛矿薄膜表面，以降低表面缺陷密度并抑制载流子复合，从而将效率显著提高到22.7％，这是目前已报导的大面积制造技术制备器件的最高转换效率。北京（b-c）BP突触网络和生物突触网络结构示意图。

图五、校门电学控制2D材料中固有缺陷的迁移和分布来模拟突触行为（a）Ag/MOx/MoS2/Ag忆阻器的照片，校门位于柔性衬底（聚萘二甲酸乙二醇酯）上的器件阵列，以及器件的截面SEM图像。浩辰绘制（c）不同功率密度的光所激发的长期增强作用。

北京生物学研究表明多端突触网络在高能效的时空信息处理和非线性分类中均起着重要作用。【图文解读】图一、校门用于突触器件和神经形态计算应用的2D材料概述图二、2D材料和异质结（a）2D材料目录，包括金属、半导体和绝缘体。